發布時間: 2022-03-25 來源:勤卓環試
半導體(tǐ)封裝出廠研發過程中(zhōng)需要用到PCT試驗。什麽是PCT試驗呢?PCT試驗一般(bān)稱為高壓鍋蒸煮試驗或(huò)是飽和蒸汽試驗,最主要是將待測品置於嚴苛之溫度、飽和濕(shī)度(100%R.H.)[飽和水蒸氣]及壓力環境下測試,測試代測品耐高濕能力,針(zhēn)對印刷線路板(PCB&FPC),用來(lái)進行材(cái)料吸濕率試驗、高壓蒸煮試驗..等(děng)試驗目的,如果待測品(pǐn)是半導體的話,則用來測試半導體封裝之(zhī)抗濕氣能力,待測(cè)品被放置嚴(yán)苛的溫濕度以及壓力環境下測試,如果半導體封裝的不好,濕氣(qì)會沿者膠(jiāo)體或膠體與導線架之接口滲入封裝體之中(zhōng),常見的故裝(zhuāng)原因:爆米(mǐ)花效應、動金屬化區域腐蝕造成之(zhī)斷路(lù)、封裝體引腳(jiǎo)間因汙(wū)染造成之短路..等相關問題。
壓力蒸(zhēng)煮鍋試(shì)驗(PCT)結構:試驗箱由一個壓力容器組成,壓力容器包括一個能產生100%(潤濕)環境(jìng)的水加熱器,待測品經過PCT試驗所出現的不同失效可能是大量水氣(qì)凝結滲透所造成的。
澡盆曲線(xiàn):澡盆曲線(Bathtub curve、失效時期),又用稱為浴缸曲線、微笑(xiào)曲線,主要是顯示產品的於不同時期的失效率,主要包含早夭期(早期失效期)、正常期(隨機失效期)、損耗期(退化失效期),以環境試驗的可靠度試驗箱來說得(dé)話,可以分為篩選(xuǎn)試驗、加速壽命試驗(耐久性試驗)及失效率試驗等。進行(háng)可靠性試驗時"試驗設(shè)計"、"試驗執行"及"試驗(yàn)分析"應(yīng)作為一個整體來綜合考慮。
常見失效時期:
早期失效期(早夭期(qī),Infant Mortality Region):不夠完善的生產、存在缺陷的材料、不合適的環境、不夠完(wán)善的設(shè)計。
隨機失效期(正(zhèng)常期,Useful Life Region):外部震蕩、誤用、環境條件的變化波動、不良(liáng)抗壓性能。
退化失效期(損耗期,Wearout Region):氧化、疲勞老化、性能退化、腐蝕。
依據美國Hughes航空公(gōng)司的統計報告顯示,環境(jìng)應(yīng)力造成電子產(chǎn)品故(gù)障的比例來說,高度占2%、鹽霧占4%、沙塵占6%、振動占28%、而溫濕度去占了高達60%,所以(yǐ)電子產品對於(yú)溫濕度的影響特別顯(xiǎn)著,但由於傳(chuán)統高溫高濕試驗(如:40℃/90%R.H.、85℃/85%R.H.、60℃/95%R.H.)所需的時間較長(zhǎng),為了加速材料的吸濕(shī)速率以及縮短試驗時間(jiān),可使用加速試驗設(shè)備(HAST[高度加速壽命試驗(yàn)機]、PCT[高壓鍋])來進行相關試驗,也就(jiù)所謂的(退化失效期(qī)、損耗期)試驗。θ 10℃法則:討論產品壽命時(shí),一般采用[θ10℃法則]的表達方式,簡單的說明可以表達為[10℃規則],當周圍環境溫度上升10℃時,產品壽命就會減少一半;當周(zhōu)圍環境溫度上升20℃時,產品壽命就會減少到四分之一。這種(zhǒng)規則可以說明溫度是如何影(yǐng)響(xiǎng)產(chǎn)品壽命(失效)的,相反的產品的可靠度試驗時(shí),也可以(yǐ)利用升高環境溫度來加速失效現象(xiàng)發生,進行各(gè)種加速壽命老化試(shì)驗。
濕氣所引起的故障原因:水汽滲入、聚合物材(cái)料解聚(jù)、聚合物結(jié)合(hé)能力下降、腐蝕、空洞、線焊(hàn)點脫開、引線間(jiān)漏電、芯片與芯片粘片層脫開、焊盤腐蝕(shí)、金屬化或(huò)引線間短路。
水汽對電(diàn)子封裝可靠性的影響:腐蝕失效、分層和開裂、改變塑封材料的性質(zhì)。
PCT對PCB的故障模式:起泡(pào)(Blister)、斷裂(Crack)、止焊漆剝離(SR de-lamination)。
半導體的PCT測試:PCT最主要是測試半導體封(fēng)裝之抗濕氣能力,待測品被放(fàng)置嚴苛(kē)的溫濕度以及(jí)壓力環境下測試,如果半導(dǎo)體封裝的(de)不(bú)好,濕氣會沿者膠體或膠體與導線架之接口滲入封裝體之中(zhōng),常見(jiàn)的故裝原因:爆米花效應(yīng)、動金屬化區域(yù)腐蝕造(zào)成之斷路、封裝體引腳間因汙染造成之短路..等相關(guān)問題。
PCT對IC半導體的可靠度(dù)評估項目:DA Epoxy、導線架材料、封膠樹脂
腐蝕失效與IC:腐蝕失效(水汽、偏壓、雜質(zhì)離子)會造成IC的鋁線發生電化學腐蝕,而導致鋁線開路以及遷移生長。
塑封半導體因濕氣腐蝕而引(yǐn)起的失效現象:
由於鋁和鋁合金價格便宜,加工工藝簡單,因此通(tōng)常被使用為集成電路的(de)金屬線。從進行集(jí)成(chéng)電路(lù)塑封製程開始,水氣便會通過環氧樹(shù)脂滲入引起鋁金屬導線產生腐蝕進(jìn)而產生開路現象,成為質量管理最為頭痛的問題。雖然通過各種改善包括采用(yòng)不同環氧樹脂(zhī)材料、改進(jìn)塑封技術和提高非(fēi)活性塑封膜為(wéi)提(tí)高產質量量進行了各種(zhǒng)努力,但是隨著日新月異的半導體電子器件小型化發展,塑封鋁金屬導線腐蝕問題(tí)至今仍然是(shì)電子行業非常(cháng)重要的技術課題。
鋁線中產生腐蝕過程(chéng):
① 水氣滲透入塑(sù)封殼內→濕氣(qì)滲透到樹脂和(hé)導線間隙(xì)之中
② 水氣滲透到芯片表麵(miàn)引起鋁化學(xué)反應
加速鋁腐蝕的因素:
①樹脂材料與芯片框(kuàng)架接口之間連接不夠好(由(yóu)於各種材料之(zhī)間存在膨脹率的差異)
②封裝時,封裝材料摻有雜質(zhì)或者雜質離子的汙染(由於雜質離子的出現(xiàn))
③非活(huó)性塑(sù)封膜中(zhōng)所使用的高濃度磷
④非活性塑封膜中存在的缺陷
爆米花效應(Popcorn Effect):
說明(míng):原指以(yǐ)塑(sù)料外體所封裝的IC,因其芯片安裝(zhuāng)所用的銀膏會吸水,一旦(dàn)末加防範而徑行封牢塑體後(hòu),在下遊組裝焊接遭遇高(gāo)溫時,其水分將(jiāng)因(yīn)汽化壓力而造成封(fēng)體的爆(bào)裂,同時還會發出有如爆米(mǐ)花(huā)般的聲響,故(gù)而得名,當吸收水汽含量高(gāo)於0.17%時,[爆米花]現象就會發生。近(jìn)來十分盛行P-BGA的封裝組件,不但其中銀膠會吸水,且連載板之基材(cái)也會吸水,管理(lǐ)不(bú)良時也(yě)常出現爆米花現象。
水汽(qì)進入IC封裝的途徑:
1.IC芯片和引線框架及SMT時用的銀漿(jiāng)所吸收的水
2.塑封料中吸收的水分
3.塑封工作間濕度較高時對器件可能造成影響;
4.包封後(hòu)的器件,水汽透過(guò)塑封料以及(jí)通過塑(sù)封料和引線框架之間隙滲透進去,因為(wéi)塑料與引線框架之間隻有機械性的結合,所以在引線(xiàn)框架與塑料之間難免出現小的空隙。
備(bèi)注:隻要(yào)封膠之間空隙大於3.4*10^-10m以上,水分子就可穿越封膠的防護
備注:氣密封裝對於水汽不敏感,一般(bān)不采用加速溫濕度試驗來評價其可靠性,而是(shì)測(cè)定(dìng)其氣密性、內部(bù)水(shuǐ)汽含量(liàng)等。
針對JESD22-A102的PCT試驗說明:
用來評價非氣密封裝(zhuāng)器件在水汽凝結或飽(bǎo)和(hé)水汽環境下抵禦水汽的完整性。
樣品在高壓下處於凝結的、高濕度環境(jìng)中,以使水汽進(jìn)入封裝體內,暴露出封(fēng)裝(zhuāng)中的弱點,如分層和金屬化層的(de)腐蝕。該試(shì)驗用來評價(jià)新的封裝結構或封裝體中材料、設計的更新。
應該注意,在該試驗中會出現一些與實際應用情況不符的內部或外部失效機製。由於(yú)吸收(shōu)的水汽會降低(dī)大多數聚(jù)合物材料(liào)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度,當溫度高於玻璃化轉變溫度時,可能會出現非真實(shí)的失效模式。
外引(yǐn)腳錫短路:封裝體外(wài)引腳因濕氣引起之電離效應,會造成離子遷移不正常生長,而(ér)導致引(yǐn)腳之間發生短路現象。
濕(shī)氣造成封裝體(tǐ)內部腐蝕:濕氣經過封裝過(guò)程所造成的裂傷,將外部的離子汙染帶到芯片表麵,在經過經過表麵的缺陷(xiàn)如(rú):護層針(zhēn)孔、裂傷、被覆不良處..等,進入半導體原件裏麵(miàn),造成腐(fǔ)蝕(shí)以及漏電流..等問題,如果(guǒ)有(yǒu)施加偏壓的話故障更容易發生。
勤卓十多年專業生產(chǎn)研發高低溫試驗箱/高低溫(wēn)濕熱交(jiāo)變試驗箱/可程式恒溫恒濕試驗箱(xiāng)/高低(dī)溫冷熱衝擊試驗箱(xiāng)/高低(dī)溫快速溫變試驗箱/步入式恒溫恒濕老化房(fáng)/高壓(yā)蒸(zhēng)煮鍋/大型高低溫老化房等環(huán)境試驗設(shè)備。